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產(chǎn)品分類 / PRODUCT

半導(dǎo)體光刻設(shè)備市場規(guī)模及份額

更新時間:2024-11-14      瀏覽次數(shù):276

全球電子設(shè)備市場持續(xù)擴(kuò)大,支撐其的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)變得越來越重要。盡管2019年全球半導(dǎo)體市場經(jīng)歷了負(fù)增長,但盡管過去經(jīng)歷過雷曼沖擊,但仍持續(xù)擴(kuò)張。近年來,存儲器的技術(shù)發(fā)展從微型化轉(zhuǎn)向3D技術(shù),刻蝕技術(shù)的重要性日益增加。


截至2018年,半導(dǎo)體光刻設(shè)備的市場規(guī)模為10852億日元。

按消費地區(qū)劃分,韓國以 36% 排名di一,其次是中國臺灣地區(qū)(19%),第三位是中國大陸(18%),第四位是美國(14%),第五位是日本(7%)。半導(dǎo)體光刻設(shè)備廠商按國籍劃分的市場fen e (2018年)為歐洲(84%)、日本(14%)和美國(2%),其中歐洲和日本幾乎形成寡頭壟斷。


關(guān)于EUV曝光設(shè)備

EUV(Extreme Ultraviolet的縮寫)曝光設(shè)備是一種使用被稱為極紫外光的極短波長光的半導(dǎo)體曝光設(shè)備??梢约庸な褂肁rF準(zhǔn)分子激光的傳統(tǒng)曝光設(shè)備難以加工的更精細(xì)尺寸。


半導(dǎo)體小型化正在按照摩爾定律進(jìn)展(半導(dǎo)體集成電路的集成度和功能將在三年內(nèi)提高四倍)。到目前為止,通過稱為步進(jìn)器的縮小投影曝光技術(shù)、更短的曝光波長和浸沒式曝光技術(shù)的開發(fā),分辨率已得到顯著提高。


小型化是指晶圓上可印刷的最小加工尺寸變得更小,最小加工尺寸R由下面的瑞利方程表示。

 R=k·λ/NA *k為比例常數(shù),λ為曝光波長,NA為曝光光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑


通過各種技術(shù)的發(fā)展,通過減小k、減小λ和增大NA來實現(xiàn)小型化。

EUV曝光設(shè)備是一種可以通過縮短曝光波長來突破以往限制的技術(shù),近年來已開始量產(chǎn)。


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